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ATF-551M4-BLK Broadcom Limited 승인 된 리소스 및 경쟁력있는 가격

  • ATF-551M4-BLK - Broadcom Limited - RF JFET 트랜지스터
  • ATF-551M4-BLK - Broadcom Limited - RF JFET 트랜지스터


이미지는 참조 용입니다
제품 사양 참조

부품 번호:
ATF-551M4-BLK
FirstBom모형:
ATF-551M4-BLK-136185
제조사:
Broadcom Limited
범주:
RF JFET 트랜지스터
응용:
산업 의료 엔터프라이즈 시스템 엔터프라이즈 프로젝터 개인 전자 제품 정제
기술:

IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK

RoHS:
무연 / RoHS 준수
재고 카테고리:
재고
재고 자원:
공장 초과 재고 / 프랜차이즈 유통 업체
보증:
1 년 월드 웨이 보증 » 더 알아보기
EDA / CAD 모델:
ATF-551M4-BLK PCB 풋 프린트 및 심볼
데이터 시트:
ATF-551M4-BLK 데이터 시트
배달:
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ATF-551M4-BLK(Broadcom Limited) 명세서
Manufacturer: AVAGO
Product Category: RF FETs
Packaging: Bulk
Mounting-Style: SMD/SMT
Package-Case: Mini PAK
Technology: GaAs
Configuration: Single Dual Source
Transistor-Type: EpHEMT
Gain: 17.5 dB
Pd-Power-Dissipation: 270 mW
Maximum-Operating-Temperature: + 150 C
Operating-Frequency: 2 GHz
Id-Continuous-Drain-Current: 100 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 5 V
Transistor-Polarity: N-Channel
Forward-Transconductance-Min: 220 mmho
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage: - 5 V to 1 V
NF-Noise-Figure: 0.5 dB
P1dB-Compression-Point: 14.6 dBm
다른 공인 공급 업체 (FirstBom는 모든 프랜차이즈 리소스에서 최상의 가격을 제공합니다.)
Part # Manufacturer Description Stock Price
ATF-551M4-BLK DISTI # 516-2373-ND
Broadcom Limited IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK RoHS: Compliant Min Qty: 5000 Container: Bulk Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
ATF-551M4-BLK DISTI # 54K2746
Broadcom Limited PHEMT FET, 2.7V, MINIPAK, Drain Source Voltage Vds:2.7V, Continuous Drain Current Id:100mA, Power Dissipation Pd:270mW, Operating Frequency Min:450MHz, Operating Frequency Max:10GHz, RF Transistor Case:MiniPak, No. of Pins:4Pins 2
  • 1 $1.4800
  • 10 $1.2500
  • 100 $1.0000
  • 500 $0.9000
  • 1000 $0.7250
  • 5000 $0.6500
  • 10000 $0.6290
Part # Manufacturer Description Stock Price
ATF-551M4-BLK DISTI # 630-ATF-551M4-BLK
Broadcom Limited RF JFET Transistors Transistor GaAs Single Voltage RoHS: Compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
ATF-551M4-BLK
Avago Technologies RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1-ELEMENT, X BAND, SILICON, N-CHANNEL, HIGH ELECTRON MOBILITY FET 731
  • 475 $1.8803
  • 111 $2.1083
  • 1 $3.4188

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